砷化鎵（GaAs）晶圓屬于軟脆材料，行業對其研磨拋光后的參數指標普遍要求是：平整度控制在±2um以內，TTV（總厚度變化）控制在每25mm區域1um以內。在滿足參數指標的前提下，提升生產效率和質量，一直是Logitech所追求的目標。Logitech研磨拋光設備，是能滿足以上要求。可實現8英寸及以下砷化鎵（GaAs）晶圓研磨和拋光，具有以下特點：

特點一：采用在線盤平整度檢測與控制。研磨盤的平整度，對研磨出的樣品至關重要！Logitech研磨拋光設備，修盤時，無需停止樣品研磨，設備可在樣品研磨的同時，在線監測盤的平整度，根據研磨需要，自動調整擺臂的位置，以保持或改變研磨盤的平整度，使研磨盤達到用戶想要的盤目標形狀，盤平整度控制的好，研磨出的樣品的品質就高，此過程全程無需人工手動干預，大大提升生產效率和質量。

特點二：采用動態研磨工藝。在制造砷化鎵（GaAs）晶圓時，為了減少表面損傷，改善表面粗糙度Ra，可以采用動態研磨工藝，讓初始載重較高，比如4倍，然后隨著砷化鎵（GaAs）晶圓的厚度逐漸減小，載重也分階段降低至3倍、2倍，最后達到1倍，直至達到樣品最終的研磨目標厚度。在研磨過程中，較輕的載重將有效減少表面的損傷，產生更好的表面粗糙度Ra，從而縮短后續拋光時間。Logitech設備可通過一次連續操作，完成這一系列的載重調整的過程，大幅度提高生產效率和質量。

以邏輯Akribis-air設備為例，6英寸砷化鎵（GaAs）晶圓研磨拋光試驗數據如下：

研磨：保持恒定的盤速，使用的三種研磨料對6英寸砷化鎵（GaAs）進行六次研磨，其中兩次使用3倍（3x）夾具載重，兩次使用2倍（2x）夾具載重，還有兩次使用1倍（x）夾具載重，對應的材料去除率如下：

拋光：保持恒定的盤速70轉/分，使用Logitech專有Chemlox拋光液作為拋光液，對6英寸砷化鎵（GaAs）進行六次拋光，其中兩次拋光使用4倍（4x）夾具載重，兩次使用3倍（3x）夾具載重，還有兩次使用2倍（2x）夾具載重，對應材料去除率如下：

試驗數據表明，Logitech 設備在砷化鎵（GaAs）晶圓生產方面，有穩定的材料去除率，設備加工樣品重復性高，通過在線對盤的平整度的控制以及動態研磨技術，控制樣品的平整度，降低表面粗糙度Ra，省時省力，提高了生產效率和加工質量。